ANELVA CORPORATION 气相沉淀设备 COSMOS 300PVD 专为 300mm 晶圆制造设计，采用物理气相沉积（PVD）技术，支持多靶材配置与高精度薄膜沉积。其低压力远程等离子体溅射（LRP）工艺可实现 ±1% 以内的厚度均匀性2，适用于铜互连、扩散阻挡层及硬掩膜等关键制程。设备具备超高真空环境控制能力，满足先进逻辑芯片、MRAM 存储器件及化合物半导体的薄膜制备需求，尤其在 20nm 以下节点的半导体制造中表现优异56。